,TO-226_straightlead.jpg)
PDTB123YS,126 NXP USA Inc. дистрибьютор
| Номер детали производителя | PDTB123YS,126 |
|---|---|
| Производитель / Марка | NXP USA Inc. |
| Количество на складе | 73070 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | TRANSISTOR PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| Категория продукта | Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | PDTB123YS,126.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение PDTB123YS,126 в течение 24 часов.
- номер части
- PDTB123YS,126
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип транзистора
- PNP - Pre-Biased
- Ток - коллектор (Ic) (макс.)
- 500mA
- Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 2.2 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 10 kOhms
- Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
- 70 @ 50mA, 5V
- Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic
- 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Ток - отсечка коллектора (макс.)
- 500nA
- Частота - переход
-
- Мощность - макс.
- 500mW
- Тип монтажа
- Through Hole
- Упаковка / чехол
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Пакет устройств поставщика
- TO-92-3
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- PDTB123YS,126
Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.
Связанные ключевые слова "PDTB"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| PDTB113E | NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kヘ, R2 = 1 kヘ IC |
| PDTB113EK | NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kヘ, R2 = 1 kヘ IC |
| PDTB113EQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 3DFN |
| PDTB113ES | NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kヘ, R2 = 1 kヘ IC |
| PDTB113ES,126 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| PDTB113ET | NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kヘ, R2 = 1 kヘ IC |
| PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
| PDTB113EUF | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.425W |
| PDTB113EUX | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.425W |
| PDTB113Z | PHILIPS NXP | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped Transistors |
| PDTB113ZK | NXP | Original NXP PDTB113ZK IC |
| PDTB113ZQAZ | Nexperia USA Inc. | TRANSISTOR PREBIAS PNP 3DFN |