1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

Diodes Incorporated
Infineon Technologies
Micro Commercial Components (MCC)
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
ROHM Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзистораТок - коллектор (Ic) (макс.)Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Resistor - Base (R1)Resistor - Emitter Base (R2)Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, VceVce Saturation (Макс.) @ Ib, IcТок - отсечка коллектора (макс.)Частота - переходМощность - макс.Тип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
MMUN2211LT3G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
DTC143EET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms15 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
MMUN2211LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2113LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2214LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2215LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms
-
160 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
400mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2133LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2213LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2111LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MUN5214T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 202MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
DTC144EET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
DTC143ZET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
DTC114YET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
DTA114EET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SC75 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
MUN5211T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 310MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
MUN2214T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 230MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
MUN5233T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 202MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
MUN2211T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 338MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
DTC043ZEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V EMT3F в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC014EEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 в производствеNPN - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
PDTC124EU,135
 Nexperia USA Inc. TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT323 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 5V150mV @ 500µA, 10mA100nA230MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323-3
PDTC124EU,115
 Nexperia USA Inc. TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT323 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 5V150mV @ 500µA, 10mA100nA230MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323-3
RN1301,LF
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W USM в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323USM
DTC114EKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC114YKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC144EKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC143ZUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC123JKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA114EKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC113ZKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V1 kOhms10 kOhms33 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC124EUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased30mA50V22 kOhms22 kOhms56 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC143EUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTA143EKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC123JUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC124EKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased30mA50V22 kOhms22 kOhms56 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC144EUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased30mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC113ZUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V1 kOhms10 kOhms33 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
BCR112E6327HTSA1
 Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms20 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)140MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
BCR135E6327HTSA1
 Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms70 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)150MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTC114ECA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
RN1401,LF
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W S-MINI в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3S-Mini
FJN3303RTA
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 300MW TO92-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms56 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)250MHz300mWThrough HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
DTC143ZEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3F устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DDTC143ECA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms20 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTC113ZCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V1 kOhms10 kOhms33 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTC143TCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 250µA, 2.5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTC143ZUA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT323 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323
DDTB113ZC-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased500mA50V1 kOhms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
FJN3305RTA
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 300MW TO92-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)250MHz300mWThrough HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
FJN3314RTA
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 300MW TO92-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)250MHz300mWThrough HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены