Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзистораТок - коллектор (Ic) (макс.)Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Resistor - Base (R1)Resistor - Emitter Base (R2)Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, VceVce Saturation (Макс.) @ Ib, IcТок - отсечка коллектора (макс.)Частота - переходМощность - макс.Тип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms15 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms
-
160 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
400mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 202MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SC75 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 310MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 230MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 202MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 338MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V EMT3F в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 в производствеNPN - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
Nexperia USA Inc. TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT323 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 5V150mV @ 500µA, 10mA100nA230MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323-3
Nexperia USA Inc. TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT323 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 5V150mV @ 500µA, 10mA100nA230MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323-3
Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W USM в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323USM
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V1 kOhms10 kOhms33 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased30mA50V22 kOhms22 kOhms56 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased30mA50V22 kOhms22 kOhms56 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased30mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V1 kOhms10 kOhms33 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms20 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)140MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms70 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)150MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W S-MINI в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3S-Mini
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 300MW TO92-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms56 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)250MHz300mWThrough HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3F устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms20 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V1 kOhms10 kOhms33 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 250µA, 2.5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT323 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323
Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased500mA50V1 kOhms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 300MW TO92-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)250MHz300mWThrough HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 300MW TO92-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)250MHz300mWThrough HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10