FDFMA2P029Z-F106 ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | FDFMA2P029Z-F106 |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Количество на складе | 84480 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | FDFMA2P029Z-F106.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение FDFMA2P029Z-F106 в течение 24 часов.
- номер части
- FDFMA2P029Z-F106
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 3.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 10nC @ 4.5V
- Vgs (Макс.)
- ±12V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 720pF @ 10V
- Функция FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.4W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- 6-MicroFET (2x2)
- Упаковка / чехол
- 6-WDFN Exposed Pad
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- FDFMA2P029Z-F106
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "FDFMA"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| FDFMA2N028Z | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 |
| FDFMA2N028Z_08 | FAIRCHILD | Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68mヘ IC |
| FDFMA2P029Z | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP |
| FDFMA2P029Z-F106 | ON Semiconductor | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
| FDFMA2P029Z_08 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.1A, 95m IC |
| FDFMA2P853 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |
| FDFMA2P853(853N) | FAIRCHILD | FDFMA2P853(853N) FAIRCHILD IC QFN6 |
| FDFMA2P853T | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET |
| FDFMA2P853_06 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode IC |
| FDFMA2P853_08 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode IC |
| FDFMA2P857 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 |
| FDFMA2P857_08 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.0A, 120mヘ IC |