NDD02N40-1G ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | NDD02N40-1G |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Количество на складе | 36720 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | NDD02N40-1G.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение NDD02N40-1G в течение 24 часов.
- номер части
- NDD02N40-1G
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 400V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 1.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 5.5 Ohm @ 220mA, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 5.5nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 121pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 39W (Tc)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- I-PAK
- Упаковка / чехол
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- NDD02N40-1G
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "NDD"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| NDD01N60-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK |
| NDD01N60T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK |
| NDD02N40-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK |
| NDD02N40T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK |
| NDD02N60Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| NDD02N60ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V DPAK |
| NDD03N40Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4 |
| NDD03N40ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK-3 |
| NDD03N50Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
| NDD03N50ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
| NDD03N60Z-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| NDD03N60ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V DPAK |