номер части

NTGD4169FT1G

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

30V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

2.6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±12V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

295pF @ 15V

Функция FET

Schottky Diode (Isolated)

Рассеиваемая мощность (макс.)

900mW (Ta)

Рабочая Температура

-25°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

6-TSOP

Упаковка / чехол

SOT-23-6

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

NTGD4169FT1G