номер части

NTHD2110TT1G

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

12V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±8V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

1072pF @ 6V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.1W (Ta)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

ChipFET™

Упаковка / чехол

8-SMD, Flat Lead

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

NTHD2110TT1G