Номер детали производителяN0412N-S19-AY
Производитель / МаркаRenesas Electronics America
Количество на складе57160 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеMOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию N0412N-S19-AY.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение N0412N-S19-AY в течение 24 часов.

номер части
N0412N-S19-AY
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
100nC @ 10V
Vgs (Макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
5550pF @ 25V
Функция FET
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta), 119W (Tc)
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет устройств поставщика
TO-220
Упаковка / чехол
TO-220-3
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
N0412N-S19-AY

Связанные компоненты сделаны Renesas Electronics America

Связанные ключевые слова "N041"

номер части производитель Описание
N0410NF STMicroelectronics N0410NF STM IC DIP
N0412N-S19-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
N0413N-ZK-E1-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 100A TO-263