номер части

RP1E090XNTCR

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

30V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

6.8nC @ 5V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

440pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2W (Ta)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

MPT6

Упаковка / чехол

6-SMD, Flat Leads

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

RP1E090XNTCR