номер части

RUM001L02T2CL

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

20V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

100mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

-

Vgs (Макс.)

±8V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

7.1pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

150mW (Ta)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

VMT3

Упаковка / чехол

SOT-723

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

RUM001L02T2CL