номер части

TSM2N7000KCT A3G

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

60V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

300mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

7.32pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

400mW (Ta)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

TO-92

Упаковка / чехол

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

TSM2N7000KCT A3G