DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | DF10G6M4N,LF |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 71720 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN |
| Категория продукта | TVS - диоды |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | DF10G6M4N,LF.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение DF10G6M4N,LF в течение 24 часов.
- номер части
- DF10G6M4N,LF
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип
- Zener
- Однонаправленные каналы
-
- Двунаправленные каналы
- 4
- Напряжение - обратная остановка (тип)
- 5.5V (Max)
- Напряжение - пробой (мин)
- 5.6V
- Напряжение - Зажим (макс.) @ Ipp
- 25V
- Ток - пиковый импульс (10/1000 мкс)
- 2A (8/20µs)
- Мощность - пиковый импульс
- 30W
- Защита линии электропередачи
- No
- Приложения
- General Purpose
- Емкость @ Частота
- 0.2pF @ 1MHz
- Рабочая Температура
-
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 10-UFDFN
- Пакет устройств поставщика
- 10-DFN (2.5x1)
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- DF10G6M4N,LF
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
Связанные ключевые слова "DF10"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| DF10 | FAIRCHILD | 1.5 Ampere Bridge Rectifiers IC |
| DF10-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF |
| DF1000R17IE4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 1000A |
| DF1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 1000A |
| DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2 |
| DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
| DF101S | VISHAY | DF101S original vishay components |
| DF10G5M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 3.6V 24V 10DFN |
| DF10G6M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN |
| DF10G7M1N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 5V 12V 10DFN |
| DF10M | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M |
| DF10M-E3 | VISHAY | DF10M-E3 original vishay components |