Номер детали производителяGT10G131(TE12L,Q)
Производитель / МаркаToshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе80730 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIGBT 400V 1W 8-SOIC
Категория продуктаТранзисторы - IGBT - Single
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию GT10G131(TE12L,Q).pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение GT10G131(TE12L,Q) в течение 24 часов.

номер части
GT10G131(TE12L,Q)
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
устарелый
Тип IGBT
-
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
400V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
-
Текущий - коллектор импульсный (Icm)
200A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic
2.3V @ 4V, 200A
Мощность - макс.
1W
Энергия переключения
-
Тип ввода
Standard
Ворота затвора
-
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C
3.1µs/2µs
Условия тестирования
-
Время обратного восстановления (trr)
-
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
SMD Поверхностный монтаж
Упаковка / чехол
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Пакет устройств поставщика
8-SOP (5.5x6.0)
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
GT10G131(TE12L,Q)

Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage

Связанные ключевые слова "GT10G"

номер части производитель Описание
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage IGBT 400V 1W 8-SOIC