MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
Номер детали производителя | MT3S111(TE85L,F) |
---|---|
Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
Количество на складе | 47020 более |
Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
Краткое описание | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
Категория продукта | Транзисторы - биполярные (BJT) - RF |
Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
Срок поставки | 1-2 дня |
Год производства (DC) | последний |
Скачать спецификацию | MT3S111(TE85L,F).pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MT3S111(TE85L,F) в течение 24 часов.
- номер части
- MT3S111(TE85L,F)
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип транзистора
- NPN
- Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
- 6V
- Частота - переход
- 11.5GHz
- Шум (дБ Тип @ f)
- 1.2dB @ 1GHz
- Усиление
- 12dB
- Мощность - макс.
- 700mW
- Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
- 200 @ 30mA, 5V
- Ток - коллектор (Ic) (макс.)
- 100mA
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Пакет устройств поставщика
- S-Mini
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- MT3S111(TE85L,F)
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
Связанные ключевые слова "MT3S1"
номер части | производитель | Описание |
---|---|---|
MT3S111(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
MT3S113(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
MT3S113P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
MT3S113TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N |
MT3S16U(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR RF NPN 5V 1GHZ USM |