RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | RN1113ACT(TPL3) |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 17790 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
| Категория продукта | Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | RN1113ACT(TPL3).pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RN1113ACT(TPL3) в течение 24 часов.
- номер части
- RN1113ACT(TPL3)
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип транзистора
- NPN - Pre-Biased
- Ток - коллектор (Ic) (макс.)
- 80mA
- Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 47 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
-
- Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
- 120 @ 1mA, 5V
- Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic
- 150mV @ 250µA, 5mA
- Ток - отсечка коллектора (макс.)
- 100nA (ICBO)
- Частота - переход
-
- Мощность - макс.
- 100mW
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- SC-101, SOT-883
- Пакет устройств поставщика
- CST3
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- RN1113ACT(TPL3)
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
.jpg "74VHCT240AFT")
,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg "TC7SH04FU,LJ(CT")
Связанные ключевые слова "RN111"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| RN1110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| RN1110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
| RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.05W CST3 |
| RN1110MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| RN1111,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| RN1111ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
| RN1111CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.05W CST3 |
| RN1111MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO |
| RN1112(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| RN1112ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W CST3 |
| RN1112CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.05W CST3 |