RN1903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | RN1903,LF(CT |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 31280 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| Категория продукта | Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | RN1903,LF(CT.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RN1903,LF(CT в течение 24 часов.
- номер части
- RN1903,LF(CT
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип транзистора
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Ток - коллектор (Ic) (макс.)
- 100mA
- Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 22 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
- 22 kOhms
- Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
- 70 @ 10mA, 5V
- Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic
- 300mV @ 250µA, 5mA
- Ток - отсечка коллектора (макс.)
- 100nA (ICBO)
- Частота - переход
- 250MHz
- Мощность - макс.
- 200mW
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Пакет устройств поставщика
- US6
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- RN1903,LF(CT
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
.JPG "TLP170J(F)")
Связанные ключевые слова "RN19"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| RN1901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RN1902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| RN1902T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RN1904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RN1904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| RN1905(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RN1905,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
| RN1905FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| RN1906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |