TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | TK39N60W,S1VF |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 15680 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N CH 600V 38.8A TO247 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | TK39N60W,S1VF.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TK39N60W,S1VF в течение 24 часов.
- номер части
- TK39N60W,S1VF
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 600V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 38.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 65 mOhm @ 19.4A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3.7V @ 1.9mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 110nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±30V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 4100pF @ 300V
- Функция FET
- Super Junction
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 270W (Tc)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- TO-247
- Упаковка / чехол
- TO-247-3
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- TK39N60W,S1VF
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
Связанные ключевые слова "TK39"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| TK39A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3 |
| TK39J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
| TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N) |
| TK39N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 38.8A TO247 |
| TK39N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247 |
| TK39N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247 |