Номер детали производителяTK50P04M1(T6RSS-Q)
Производитель / МаркаToshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе38000 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеMOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию TK50P04M1(T6RSS-Q).pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TK50P04M1(T6RSS-Q) в течение 24 часов.

номер части
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
50A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
2600pF @ 10V
Функция FET
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
60W (Tc)
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
SMD Поверхностный монтаж
Пакет устройств поставщика
DP
Упаковка / чехол
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
TK50P04M1(T6RSS-Q)

Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage

Связанные ключевые слова "TK50P0"

номер части производитель Описание
TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3