TPC8035-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
| Номер детали производителя | TPC8035-H(TE12L,QM |
|---|---|
| Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Количество на складе | 14640 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | TPC8035-H(TE12L,QM.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TPC8035-H(TE12L,QM в течение 24 часов.
- номер части
- TPC8035-H(TE12L,QM
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- устарелый
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 18A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 3.2 mOhm @ 9A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 82nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- ±20V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 7800pF @ 10V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1W (Ta)
- Рабочая Температура
- 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- TPC8035-H(TE12L,QM
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
.jpg "TC74LVX573FTEL")
Связанные ключевые слова "TPC803"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| TPC8031-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B |
| TPC8032-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B |
| TPC8033-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B |
| TPC8035-H(TE12L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B |
| TPC8036-H(TE12L,QM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
| TPC8038-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B |