Номер детали производителяTPCF8B01(TE85L,F,M
Производитель / МаркаToshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе74560 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеMOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение TPCF8B01(TE85L,F,M в течение 24 часов.

номер части
TPCF8B01(TE85L,F,M
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
устарелый
Тип полевого транзистора
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)
20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
6nC @ 5V
Vgs (Макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
470pF @ 10V
Функция FET
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
330mW (Ta)
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Тип монтажа
SMD Поверхностный монтаж
Пакет устройств поставщика
VS-8 (2.9x1.5)
Упаковка / чехол
8-SMD, Flat Lead
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
TPCF8B01(TE85L,F,M

Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage

Связанные ключевые слова "TPCF8B"

номер части производитель Описание
TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8