номер части

SI1401EDH-T1-GE3

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

12V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

36nC @ 8V

Vgs (Макс.)

±10V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.6W (Ta), 2.8W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

SC-70-6 (SOT-363)

Упаковка / чехол

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

SI1401EDH-T1-GE3