номер части

SI2365EDS-T1-GE3

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

20V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

5.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

36nC @ 8V

Vgs (Макс.)

±8V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

-

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1W (Ta), 1.7W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

TO-236

Упаковка / чехол

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

SI2365EDS-T1-GE3