номер части

SI3127DV-T1-GE3

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

60V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

3.5A (Ta), 13A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

89 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

833pF @ 20V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

6-TSOP

Упаковка / чехол

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

SI3127DV-T1-GE3