номер части

SI4900DY-T1-E3

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

2 N-Channel (Dual)

Функция FET

Logic Level Gate

Слив к источнику напряжения (Vdss)

60V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

5.3A

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

20nC @ 10V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

665pF @ 15V

Мощность - макс.

3.1W

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Упаковка / чехол

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Пакет устройств поставщика

8-SO

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

SI4900DY-T1-E3