номер части

SI5499DC-T1-GE3

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

устарелый

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

8V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

35nC @ 8V

Vgs (Макс.)

±5V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

1290pF @ 4V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2.5W (Ta), 6.2W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

1206-8 ChipFET™

Упаковка / чехол

8-SMD, Flat Lead

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

SI5499DC-T1-GE3