SI5513CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SI5513CDC-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Количество на складе | 18990 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | SI5513CDC-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SI5513CDC-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SI5513CDC-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N and P-Channel
- Функция FET
- Logic Level Gate
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 20V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 4A, 3.7A
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 4.2nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 285pF @ 10V
- Мощность - макс.
- 3.1W
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- 8-SMD, Flat Lead
- Пакет устройств поставщика
- 1206-8 ChipFET™
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- SI5513CDC-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
Связанные ключевые слова "SI551"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SI5511DC | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
| SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
| SI5512VA 110LB388 | LATTICE | SI5512VA 110LB388 BGA IC |
| SI5513CDC | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5513CDC-T | VISHAY | SI5513CDC-T original vishay components |
| SI5513CDC-T1 | VISHAY | SI5513CDC-T1 original vishay components |
| SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| SI5513DC | VISHAY | Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5513DC-T1 | VISHAY | Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5513DC-T1 TEL:82766440 | VISHAY | SI5513DC-T1 TEL:82766440 original vishay components |