Номер детали производителяSIB911DK-T1-GE3
Производитель / МаркаVishay Siliconix
Количество на складе73950 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеMOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию SIB911DK-T1-GE3.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SIB911DK-T1-GE3 в течение 24 часов.

номер части
SIB911DK-T1-GE3
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
устарелый
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Функция FET
Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss)
20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
2.6A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
4nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
115pF @ 10V
Мощность - макс.
3.1W
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
SMD Поверхностный монтаж
Упаковка / чехол
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
SIB911DK-T1-GE3

Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix

Связанные ключевые слова "SIB91"

номер части производитель Описание
SIB911DK-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
SIB911DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
SIB912DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6