SIRA16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix дистрибьютор
| Номер детали производителя | SIRA16DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Siliconix |
| Количество на складе | 19110 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8 |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | SIRA16DP-T1-GE3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение SIRA16DP-T1-GE3 в течение 24 часов.
- номер части
- SIRA16DP-T1-GE3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 16A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 6.8 mOhm @ 15A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 47nC @ 10V
- Vgs (Макс.)
- +20V, -16V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 2060pF @ 15V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
-
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Пакет устройств поставщика
- PowerPAK® SO-8
- Упаковка / чехол
- PowerPAK® SO-8
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- SIRA16DP-T1-GE3
Связанные компоненты сделаны Vishay Siliconix
Связанные ключевые слова "SIRA1"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| SIRA10BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V |
| SIRA10DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| SIRA12BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V |
| SIRA12DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
| SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8 |
| SIRA16DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8 |
| SIRA18ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO |
| SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 |
| SIRA18DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8 |