VB30100C-E3 VISHAY дистрибьютор
| Номер детали производителя | VB30100C-E3 |
|---|---|
| Производитель / Марка | VISHAY |
| Количество на складе | 67350 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | VB30100C-E3 original vishay components |
| Категория продукта | VISHAY Компоненты |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | VB30100C-E3.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение VB30100C-E3 в течение 24 часов.
- номер части
- VB30100C-E3
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- упаковка / Case
- ORIGINAL
- Состояние детали
- Stock quantity available to ship now
- Mounting Тип
- DIP/SMD
- Voltage
-
- Current
-
- Рейтинги
-
- Рабочая Температура
-
- Характерная чертаs
-
- Size / Dimension
-
- Height
-
- Другая часть номер
- VB30100C-E3-VISHAY
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- VB30100C-E3
Связанные компоненты сделаны VISHAY
-
-
-
-
-
VISHAYWirewound Resistors, Military, MIL-PRF-26 Qualified, Type RW, Precision Power, Silicone Coated -
-
-
-
-
.jpg "CDR32BX183AKWMAT")
-1,30mm.jpg "CDR31BP561AFWRAR")
Связанные ключевые слова "VB3"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| VB30100C | VISHAY | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A |
| VB30100C-E3 | VISHAY | VB30100C-E3 original vishay components |
| VB30100C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
| VB30100C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
| VB30100C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
| VB30100C-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
| VB30100S | VISHAY | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A |
| VB30100S-E3 | VISHAY | VB30100S-E3 original vishay components |
| VB30100S-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB |
| VB30100S-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB |
| VB30100S-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
| VB30100S-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |