VB30202C-M3/8W Vishay Semiconductor Diodes Division дистрибьютор
| Номер детали производителя | VB30202C-M3/8W |
|---|---|
| Производитель / Марка | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Количество на складе | 65410 более |
| Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
| Краткое описание | DIODE SCHOTTKY 200V 30A TO263AB |
| Категория продукта | Диоды - выпрямители - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
| Срок поставки | 1-2 дня |
| Год производства (DC) | последний |
| Скачать спецификацию | VB30202C-M3/8W.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение VB30202C-M3/8W в течение 24 часов.
- номер части
- VB30202C-M3/8W
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Конфигурация диода
- 1 Pair Common Cathode
- Тип диода
- Schottky
- Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)
- 200V
- Текущий - средний отрегулированный (Io) (на диод)
- 15A
- Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если
- 880mV @ 15A
- скорость
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr)
-
- Текущий - обратный утечек @ Vr
- 250µA @ 200V
- Рабочая температура - Соединение
- -40°C ~ 175°C
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Пакет устройств поставщика
- TO-263AB
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- VB30202C-M3/8W
Связанные компоненты сделаны Vishay Semiconductor Diodes Division
-
-
VISHAY7/8inch (22.2 mm) Ten Turn Wirewound Precision Potentiometer with a Plastic Shaft -
-
-
-
-
-
-
-
Связанные ключевые слова "VB30"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| VB30100C | VISHAY | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A |
| VB30100C-E3 | VISHAY | VB30100C-E3 original vishay components |
| VB30100C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
| VB30100C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
| VB30100C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
| VB30100C-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
| VB30100S | VISHAY | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A |
| VB30100S-E3 | VISHAY | VB30100S-E3 original vishay components |
| VB30100S-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB |
| VB30100S-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB |
| VB30100S-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |
| VB30100S-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB |