номер части

C2M1000170J-TR

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

SiCFET (Silicon Carbide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

1700V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

5.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 2A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 500µA (Typ)

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

13nC @ 20V

Vgs (Макс.)

+25V, -10V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

200pF @ 1000V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

78W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

D2PAK-7

Упаковка / чехол

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

C2M1000170J-TR