номер части

E3M0065090D

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

SiCFET (Silicon Carbide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

900V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

84.5 mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 5mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

30.4nC @ 15V

Vgs (Макс.)

+18V, -8V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

660pF @ 600V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

125W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Through Hole

Пакет устройств поставщика

TO-247-3

Упаковка / чехол

TO-247-3

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

E3M0065090D