Infineon Technologies агент по продажам - Радиочастотные переключатели - BGS12PL6E6327XTSA1 BGS12PN10E6327XTSA1

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип RF	Топология	схема	Диапазон частот	изоляция	Вносимая потеря	Частота испытаний	P1dB	IIP3	Особенности	полное сопротивление	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BGS12PL6E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF SPDT TSLP6-4	в производстве	GSM, LTE, W-CDMA	Reflective	SPDT	100MHz ~ 4GHz	22dB	0.77dB	3.8GHz	-	-	Single Line Control	50 Ohm	2.4 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C	6-XFDFN	TSLP-6-4
BGS12PN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	-	-	SPDT	500MHz ~ 6GHz	20dB	0.6dB	6GHz	-	-	-	50 Ohm	1.8 V ~ 3.6 V	-30°C ~ 85°C	10-XFQFN	PG-TSNP-10-1
BGS15GA14E6327XTSA1	Infineon Technologies	RF SWITCH	в производстве	-	-	SP5T	100MHz ~ 6GHz	27dB	0.65dB	6GHz	-	-	-	50 Ohm	3V	-30°C ~ 85°C	14-UFQFN Exposed Pad	ATSLP-14-4
BGS13SN8E6327XTSA1	Infineon Technologies	RF SWITCH	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	8-XFQFN	PG-TSNP-8-1
BGSX22G2A10E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 10ATSLP	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10-UFQFN	ATSLP-10-2
BGSX28MA18E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	LTE	-	DP3T	100MHz ~ 3.8GHz	39dB	0.9dB	2.5GHz, 3.5GHz	-	-	-	50 Ohm	2.5 V ~ 3.4 V	-30°C ~ 85°C	18-UFQFN Exposed Pad	PG-ATSLP-18
BGSX210MA18E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	LTE	-	-	100MHz ~ 3.8GHz	39dB	0.65dB	2.5GHz ~ 2.7GHz	-	-	-	-	2.5 V ~ 3.4 V	-30°C ~ 85°C	18-UFQFN Exposed Pad	PG-ATSLP-18
BGSX212MA18E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	LTE	-	-	100MHz ~ 3.8GHz	39dB	0.9dB	2.5GHz, 3.5GHz	-	-	-	50 Ohm	2.5 V ~ 3.4 V	-30°C ~ 85°C	18-UFQFN Exposed Pad	PG-ATSLP-18
BGS15MA12E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 12ATSLP	в производстве	WCDMA	-	SP5T	100MHz ~ 2.9GHz	25dB	0.45dB	2.5GHz	30dBm	-	-	50 Ohm	2.2 V ~ 5.5 V	-30°C ~ 85°C	12-UFQFN Exposed Pad	ATSLP-12-4
BGS13S4N9E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	9-XFLGA	TSNP-9-3
BGSA12GN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 10TSNP	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10-XFQFN	PG-TSNP-10-1
BGSA141MN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	ANTENNA DEVICES	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10-XFQFN	TSNP-10-3
BGSA13GN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 10TSNP	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10-XFQFN	PG-TSNP-10-1
BGS13PN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	-	-	SP3T	500MHz ~ 6GHz	17dB	1.5dB	6GHz	-	76dBm	-	50 Ohm	1.8 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C	-	-
BGS18GA14E6327XTSA1	Infineon Technologies	RF SWITCH	в производстве	-	-	SP8T	100MHz ~ 3.8GHz	33dB	0.7dB	3.5GHz	-	-	-	50 Ohm	3V	-30°C ~ 85°C	14-UFQFN Exposed Pad	ATSLP-14-4
BGS14PN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	-	-	SP4T	500MHz ~ 6GHz	18dB	1.2dB	6GHz	-	73dBm	-	50 Ohm	1.8 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C	10-XFQFN	TSNP10-1
BGS18MN14E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 14TSNP	в производстве	LTE, W-CDMA	-	SP8T	100MHz ~ 2.7GHz	29dB	0.8dB	2GHz	-	-	-	50 Ohm	2.5 V ~ 5.5 V	-30°C ~ 85°C	14-WFQFN Exposed Pad	PG-TSNP-14-3
BGS16MN14E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 14TSNP	в производстве	WCDMA	-	SP6T	100MHz ~ 2.7GHz	33dB	0.45dB	2GHz	-	-	-	50 Ohm	2.5 V ~ 5.5 V	-30°C ~ 85°C	14-WFQFN Exposed Pad	PG-TSNP-14-3
BGS15AN16E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH WCDMA RF SP5T TSNP-16	в производстве	W-CDMA	Reflective	SP5T	100MHz ~ 3GHz	27dB	0.65dB	2.69GHz	-	-	DC Blocked	50 Ohm	-	-30°C ~ 85°C	16-WFQFN Exposed Pad	TSNP-16-3
BGSF110GN26E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 26TSNP	в производстве	GSM, LTE, W-CDMA	-	SP10T	100MHz ~ 3.8GHz	40dB	1.3dB	3GHz	-	-	-	50 Ohm	2.4 V ~ 3.3 V	-30°C ~ 85°C	26-WFQFN Exposed Pad	PG-TSNP-26-2
BGS22W2L10E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF DPDT TSLP10-1	устарелый	General Purpose	Reflective	DPDT	100MHz ~ 2GHz	27dB	0.39dB	1.91GHz	-	-	-	50 Ohm	2.4 V ~ 3.6 V	-30°C ~ 85°C	10-XFQFN	TSLP-10-1
BGS14AN16E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF SP4T TSNP16-6	устарелый	W-CDMA	Reflective	SP4T	100MHz ~ 3GHz	27dB	0.69dB	2.69GHz	-	-	-	50 Ohm	2.85 V ~ 4.7 V	-30°C ~ 85°C	16-WFQFN Exposed Pad	TSNP-16-1
BGS22WL10E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF DPDT TSLP10-1	устарелый	General Purpose	Reflective	DPDT	100MHz ~ 3GHz	24dB	0.45dB	2.69GHz	-	-	-	50 Ohm	2.4 V ~ 3.6 V	-30°C ~ 85°C	10-XFQFN	TSLP-10-1
BGS12SN6E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF TSNP6	в производстве	Bluetooth, WLAN	-	SPDT	100MHz ~ 6GHz	21dB	0.65dB	6GHz	-	-	-	50 Ohm	1.8 V ~ 3.5 V	-40°C ~ 85°C	6-XFDFN	TSNP-6-2
BGS14GA14E6327XTSA1	Infineon Technologies	RF SWITCH	в производстве	-	-	SP4T	100MHz ~ 6GHz	27dB	0.65dB	6GHz	-	-	-	50 Ohm	3V	-30°C ~ 85°C	14-UFQFN Exposed Pad	ATSLP-14-5
BGS13GA14E6327XTSA1	Infineon Technologies	RF SWITCH	в производстве	-	-	SP3T	100MHz ~ 6GHz	27dB	0.65dB	6GHz	-	-	-	50 Ohm	3V	-30°C ~ 85°C	14-UFQFN Exposed Pad	ATSLP-14-4
BGSA14GN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 10TSNP	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10-XFQFN	PG-TSNP-10-1
BGS14MA11E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	LTE, W-CDMA	-	SP4T	100MHz ~ 6GHz	18dB	0.85dB	6GHz	-	-	-	50 Ohm	1.7 V ~ 3.4 V	125°C (TJ)	11-UFLGA	PG-ATSLP-11-1
BGS12S3N6E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC RF SWITCH CMOS 6TSNP	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BGSA11GN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 10TSNP	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BGSA14RN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	ANTENNA DEVICES	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BGS16GA14E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	LTE, W-CDMA	-	SP6T	100MHz ~ 3.8GHz	33dB	0.5dB	3GHz	-	-	-	-	3V	-30°C ~ 85°C	-	-
BGS17GA14E6327XTSA1	Infineon Technologies	CMOS SWITCH	в производстве	LTE, W-CDMA	-	SP7T	100MHz ~ 3.8GHz	-	-	-	-	-	-	-	2.4 V ~ 3.4 V	-30°C ~ 85°C	-	-
BGSX22GN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 10TSNP	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10-XFQFN	PG-TSNP-10-1
BGS110MN20E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF SPDT TSNP-20	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BGT24AR2E6433XUMA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 32VQFN	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	32-PowerVFQFN	PG-VQFN-32-9
BGT24ATR11E6433XUMA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 32VQFN	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	32-PowerVFQFN	PG-VQFN-32-9
BGT24ATR12E6433XUMA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF 32VQFN	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	32-PowerVFQFN	PG-VQFN-32-9
BGSF18DM20E6327XUMA1	Infineon Technologies	IC SWITCH SP8T HP SPI 20PIN	устарелый	Cellular, 3G, GSM	-	SP8T	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
BGS 12A TR E6327	Infineon Technologies	IC SWITCH RF SPDT FWLP-6-1	Discontinued at -	General Purpose	Reflective	SPDT	100MHz ~ 3GHz	27dB	0.6dB	2GHz	-	-	DC Blocked, Single Line Control	50 Ohm	2.4 V ~ 3.6 V	-30°C ~ 85°C	6-XFBGA, WLCSP	FWLP-6
BGS 12AL7-6 E6433	Infineon Technologies	IC SWITCH RF SPDT TSLP7-6	Discontinued at -	General Purpose	Reflective	SPDT	30MHz ~ 3GHz	25dB	0.5dB	2GHz	-	-	DC Blocked, Single Line Control	50 Ohm	2.4 V ~ 3.6 V	-30°C ~ 85°C	6-XFDFN Exposed Pad	TSLP-7-6
BGS12AL76E6327XTMA1	Infineon Technologies	IC SWITCH RF SPDT TSLP7-6	устарелый	General Purpose	Reflective	SPDT	30MHz ~ 3GHz	25dB	0.5dB	2GHz	-	-	DC Blocked, Single Line Control	50 Ohm	2.4 V ~ 3.6 V	-30°C ~ 85°C	6-XFDFN Exposed Pad	TSLP-7-6
BGS12AL74E6327XTSA1	Infineon Technologies	IC SW SPDT 30MHZ - 3GHZ TSLP7-4	устарелый	General Purpose	Reflective	SPDT	30MHz ~ 3GHz	25dB	0.5dB	2GHz	-	-	DC Blocked, Single Line Control	50 Ohm	2.4 V ~ 3.6 V	-30°C ~ 85°C	6-XFDFN Exposed Pad	TSLP-7-4

Производители для Радиочастотные переключатели