номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТипКоличество элементовТип выходаНапряжение - Питание, Одиночный / Двойной (±)Напряжение - смещение входа (макс.)Ток - смещение входа (макс.)Ток - Выход (Тип)Current - Quiescent (Max)CMRR, PSRR (Typ)Задержка распространения (макс.)ГистерезисРабочая ТемператураУпаковка / чехолТип монтажаПакет устройств поставщика
Renesas Electronics America Inc. IC COMPARATOR QUAD PREC 16-SOIC в производствеGeneral Purpose4CMOS, Push-Pull5 V ~ 15 V, ±2.5 V ~ 7.5 V7.5mV @ ±15V0.15µA @ ±15V50mA20mA
-
-
-
0°C ~ 75°C16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)SMD Поверхностный монтаж16-SOIC
Renesas Electronics America Inc. IC COMPARATOR SINGLE SOT23-6 в производствеGeneral Purpose1Push-Pull1.8 V ~ 5.5 V2mV @ 5V31pA
-
600nA98dB CMRR, 100dB PSRR260µs
-
-40°C ~ 125°CSOT-23-6SMD Поверхностный монтажSOT-23-6
Renesas Electronics America Inc. IC COMPARATOR RRIO 800NA SOT23-6 устарелыйGeneral Purpose1Push-Pull, Rail-to-Rail1.8 V ~ 5.5 V2mV @ 5V80pA @ 5V
-
1.6µA100dB CMRR, 100dB PSRR1.3ms
-
-40°C ~ 125°CSOT-23-6SMD Поверхностный монтажSOT-23-6
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 36-TQFN в производствеWindow4
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C36-WFQFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж36-TQFN (6x6)
Renesas Electronics America Inc. IC VREF W/COMPARATOR 8TDFN в производствеwith Voltage Reference1CMOS, TTL2.7 V ~ 5.5 V3.6mV
-
-
750nA
-
200µs
-
-40°C ~ 125°C8-WFDFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж8-TDFN (3x3)
Renesas Electronics America Inc. IC COMP W/REF LP SINGLE 8TDFN в производствеwith Voltage Reference1CMOS, TTL2.7 V ~ 5.5 V3.6mV
-
-
750nA
-
200µs
-
-40°C ~ 125°C8-WFDFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж8-TDFN (3x3)
Renesas Electronics America Inc. IC VREF W/COMPARATOR 8MSOP в производствеwith Voltage Reference1CMOS, TTL2.7 V ~ 5.5 V3.6mV
-
-
750nA
-
200µs
-
-40°C ~ 125°C8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)SMD Поверхностный монтаж8-MSOP
Renesas Electronics America Inc. IC VREF W/COMPARATOR 8MSOP в производствеwith Voltage Reference1CMOS, TTL2.7 V ~ 5.5 V3.6mV
-
-
750nA
-
200µs
-
-40°C ~ 125°C8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)SMD Поверхностный монтаж8-MSOP
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 36-TQFN в производствеWindow4
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C36-WFQFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж36-TQFN (6x6)
Renesas Electronics America Inc. IC COMPARATOR QUAD PREC 16-DIP в производствеGeneral Purpose4CMOS, Push-Pull5 V ~ 15 V, ±2.5 V ~ 7.5 V7.5mV @ ±15V0.15µA @ ±15V50mA20mA
-
-
-
0°C ~ 75°C16-CDIP (0.300", 7.62mm)Through Hole16-CERDIP
Renesas Electronics America Inc. IC COMPARATOR QUAD PREC 16-DIP в производствеGeneral Purpose4CMOS, Push-Pull5 V ~ 15 V, ±2.5 V ~ 7.5 V5mV @ ±12V0.15µA @ ±15V50mA20mA
-
-
-
-55°C ~ 125°C16-CDIP (0.300", 7.62mm)Through Hole16-CERDIP
Renesas Electronics America Inc. IC COMPARATOR QUAD PREC 16-DIP в производствеGeneral Purpose4CMOS, Push-Pull5 V ~ 15 V, ±2.5 V ~ 7.5 V3mV @ ±15V0.075µA @ ±15V50mA20mA
-
-
-
-55°C ~ 125°C16-CDIP (0.300", 7.62mm)Through Hole16-CERDIP
Renesas Electronics America Inc. IC COMPARATOR QUAD PREC 16-SOIC устарелыйGeneral Purpose4CMOS, Push-Pull5 V ~ 15 V, ±2.5 V ~ 7.5 V7.5mV @ ±15V0.15µA @ ±15V50mA20mA
-
-
-
0°C ~ 75°C16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)SMD Поверхностный монтаж16-SOIC
Renesas Electronics America Inc. IC COMPARATOR RRIO 2.5UA SOT23-6 устарелыйGeneral Purpose1Push-Pull, Rail-to-Rail1.8 V ~ 5.5 V2mV @ 5V80pA @ 5V
-
4µA100dB CMRR, 100dB PSRR300µs
-
-40°C ~ 125°CSOT-23-6SMD Поверхностный монтажSOT-23-6
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 20-QFN устарелыйWindow2
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C20-VQFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж20-QFN-EP (5x5)
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 20-TSSOP устарелыйWindow2
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)SMD Поверхностный монтаж20-TSSOP
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 16-QFN устарелыйWindow1
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C16-VFQFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж16-QFN-EP (4x4)
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 14-TSSOP устарелыйWindow1
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)SMD Поверхностный монтаж14-TSSOP
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 20-TSSOP устарелыйWindow2
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)SMD Поверхностный монтаж20-TSSOP
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 14-TSSOP устарелыйWindow1
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)SMD Поверхностный монтаж14-TSSOP
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 20-QFN устарелыйWindow2
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C20-VQFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж20-QFN-EP (5x5)
Renesas Electronics America Inc. IC COMP CMOS HS 18V 16-QFN устарелыйWindow1
-
10 V ~ 18 V50mV @ -3V, 12V0.025µA @ -3V, 12V
-
12.5mA
-
15ns
-
-40°C ~ 85°C16-VFQFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж16-QFN-EP (4x4)
Renesas Electronics America Inc. IC COMP RRIO SGL 2.5UA 6-TDFN устарелыйGeneral Purpose1Push-Pull, Rail-to-Rail1.8 V ~ 5.5 V2mV @ 5V80pA @ 5V
-
4µA100dB CMRR, 100dB PSRR300µs
-
-40°C ~ 125°C6-UFDFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж6-UTDFN (1.6x1.6)
Renesas Electronics America Inc. IC COMP RRIO SGL 800NA 6-TDFN устарелыйGeneral Purpose1Push-Pull, Rail-to-Rail1.8 V ~ 5.5 V2mV @ 5V80pA @ 5V
-
1.6µA100dB CMRR, 100dB PSRR1.3ms
-
-40°C ~ 125°C6-UFDFN Exposed PadSMD Поверхностный монтаж6-UTDFN (1.6x1.6)