Toshiba Semiconductor and Storage агент по продажам - Линейные - компараторы - TC75W57FU,LF TC75W56FK,LF

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип	Количество элементов	Тип выхода	Напряжение - Питание, Одиночный / Двойной (±)	Напряжение - смещение входа (макс.)	Ток - смещение входа (макс.)	Ток - Выход (Тип)	Current - Quiescent (Max)	CMRR, PSRR (Typ)	Задержка распространения (макс.)	Гистерезис	Рабочая Температура	Упаковка / чехол	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика
TC75W57FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP GP CMOS DUAL SM8	в производстве	General Purpose	2	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	400µA	-	140ns	-	-40°C ~ 85°C	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	SM8
TC75W56FK,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP SNGL GP PP CMOS US8	в производстве	General Purpose	2	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	40µA	-	680ns	-	-40°C ~ 85°C	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	US8
TC75S56F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC C0MP GP CMOS PUSH-PULL SMV	в производстве	General Purpose	1	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	1mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	22µA	-	680ns	-	-40°C ~ 85°C	SC-74A, SOT-753	SMD Поверхностный монтаж	SMV
TC75S59FU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC C0MP GP CMOS PUSH-PULL USV	в производстве	General Purpose	1	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA	25mA	220µA	-	200ns	-	-40°C ~ 85°C	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SMD Поверхностный монтаж	USV
TC75S70L6X,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP CMOS COMPARATOR MP6C	в производстве	General Purpose	1	Push-Pull	1.3 V ~ 5.5 V	6mV @ 3V	1pA @ 3V	18mA @ 3V	35µA	-	800ns	-	-40°C ~ 85°C	6-UFDFN	SMD Поверхностный монтаж	6-MP6C (1.45x1.0)
TC75W59FK(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP GP CMOS DUAL US8	в производстве	General Purpose	2	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	1mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	220µA	-	200ns	-	-40°C ~ 85°C	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	US8
TC75W56FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP GP CMOS DUAL SM8	в производстве	General Purpose	2	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	40µA	-	680ns	-	-40°C ~ 85°C	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	SM8
TA75S393F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMPARATOR SINGLE SSOP5	в производстве	General Purpose	1	CMOS, DTL, MOS, Open-Collector, TTL	2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V	5mV @ 5V	0.05µA @ 5V	16mA @ 5V	800µA	-	-	-	-40°C ~ 85°C	SC-74A, SOT-753	SMD Поверхностный монтаж	SMV
TC75S58F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP SNGL GP OD CMOS SMV	в производстве	General Purpose	1	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	20µA	-	800ns	-	-40°C ~ 85°C	SC-74A, SOT-753	SMD Поверхностный монтаж	SMV
TC75S59F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC C0MP GP CMOS OPEN DRAIN SMV	в производстве	General Purpose	1	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA	25mA	220µA	-	200ns	-	-40°C ~ 85°C	SC-74A, SOT-753	SMD Поверхностный монтаж	SMV
TC75W59FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP GP CMOS DUAL SM8	в производстве	General Purpose	2	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	1mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	220µA	-	200ns	-	-40°C ~ 85°C	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	SM8
TC75W58FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP GP CMOS DUAL SM8	в производстве	General Purpose	2	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	22µA	-	800ns	-	-40°C ~ 85°C	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	SM8
TA75W393FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMPARATOR DUAL SSOP8	в производстве	General Purpose	2	CMOS, DTL, MOS, Open-Collector, TTL	2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V	5mV @ 5V	0.25µA @ 5V	16nA @ 5V	2mA	-	-	-	-40°C ~ 85°C	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	SM8
TC75S57F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC C0MP GP CMOS PUSH-PULL SMV	в производстве	General Purpose	1	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA	25mA	220µA	-	140ns	-	-40°C ~ 85°C	SC-74A, SOT-753	SMD Поверхностный монтаж	SMV
TC75S58FUTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP SNGL GP PP CMOS USV	в производстве	General Purpose	1	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	20µA	-	800ns	-	-40°C ~ 85°C	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SMD Поверхностный монтаж	USV
TC75S56FUTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP SNGL GP PP CMOS USV	в производстве	General Purpose	1	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	20µA	-	680ns	-	-40°C ~ 85°C	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SMD Поверхностный монтаж	USV
TC75W57FKTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP DUAL GP PP CMOS US8	Discontinued at -	General Purpose	2	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	400µA	-	140ns	-	-40°C ~ 85°C	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	US8
TC75S56FE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP GP CMOS ESV	устарелый	General Purpose	1	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA	18mA @ 5V	22µA	-	680ns	-	-40°C ~ 85°C	SOT-553	SMD Поверхностный монтаж	ESV
TC75W58FK,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP GP CMOS DUAL US8	устарелый	General Purpose	2	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA @ 5V	25mA	22µA	-	800ns	-	-40°C ~ 85°C	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)	SMD Поверхностный монтаж	US8
TC75S59FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC COMP GP CMOS ESV	устарелый	General Purpose	1	Open Drain	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA	25mA	220µA	-	200ns	-	-40°C ~ 85°C	SOT-553	SMD Поверхностный монтаж	ESV
TC75S57FU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC C0MP GP CMOS PUSH-PULL USV	в производстве	General Purpose	1	Push-Pull	1.8 V ~ 7 V, ±0.9 V ~ 3.5 V	7mV @ 5V	1pA	25mA	220µA	-	140ns	-	-40°C ~ 85°C	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SMD Поверхностный монтаж	USV
TC75W70L8X,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC OPAMP CMOS COMPARATOR SOT-902	устарелый	General Purpose	2	Push-Pull	1.3 V ~ 5.5 V	6mV @ 3V	1pA @ 3V	18mA @ 3V	47µA	-	800ns	-	-40°C ~ 85°C	8-UFQFN Exposed Pad	SMD Поверхностный монтаж	SOT-902

Производители для Линейные - компараторы