номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзистораНапряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Частота - переходШум (дБ Тип @ f)УсилениеМощность - макс.Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, VceТок - коллектор (Ic) (макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Maxim Integrated TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC в производствеNPN15V1GHz3.3dB @ 836MHz11.6dB6.4W100 @ 250mA, 3V1.2A150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad8-SOIC-EP
Maxim Integrated TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC в производствеNPN15V1GHz3.3dB @ 836MHz11.6dB6.4W100 @ 250mA, 3V1.2A150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad8-SOIC-EP
Maxim Integrated TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC в производствеNPN15V1GHz3.3dB @ 836MHz11.6dB6.4W100 @ 250mA, 3V1.2A150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad8-SOIC-EP
Maxim Integrated TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC в производствеNPN15V1GHz3.3dB @ 836MHz11.6dB6.4W100 @ 250mA, 3V1.2A150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad8-SOIC-EP
Maxim Integrated IC TRANSISTOR 3.6V 1W RF POWER 8-SOIC Discontinued at -NPN15V1GHz3.3dB @ 836MHz11.6dB6.4W100 @ 250mA, 3V1.2A150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad8-SOIC-EP
Maxim Integrated TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC Discontinued at -NPN15V1GHz3.3dB @ 836MHz11.6dB6.4W100 @ 250mA, 3V1.2A150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad8-SOIC-EP
Maxim Integrated TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC Discontinued at -NPN15V1GHz3.3dB @ 836MHz11.6dB6.4W100 @ 250mA, 3V1.2A150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad8-SOIC-EP
Maxim Integrated TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC Discontinued at -NPN15V1GHz3.3dB @ 836MHz11.6dB6.4W100 @ 250mA, 3V1.2A150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad8-SOIC-EP