Toshiba Semiconductor and Storage агент по продажам - Логика - ворота и инверторы - TC7SZU04F,LJ(CT TC7SZ00F,LJ(CT - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип логики	Количество схем	Количество входов	Особенности	Напряжение - Поставка	Current - Quiescent (Max)	Ток - выход высокий, низкий	Уровень логики - низкий	Уровень логики - высокий	Макс. Задержка распространения @ V, Макс. CL	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
TC7SZU04F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP SMV	в производстве	Inverter	1	1	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	16mA, 16mA	-	-	5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SZ00F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV	в производстве	NAND Gate	1	2	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SET32F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 1CH 2-INP SMV	в производстве	OR Gate	1	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7PZ05FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER OD 2CH 2-INP US6	в производстве	Inverter	2	2	Open Drain	1.65 V ~ 5.5 V	1µA	-, 32mA	-	-	3.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US6	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
TC7WZ04FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 3CH 3-INP US8	в производстве	Inverter	3	3	-	1.65 V ~ 5.5 V	10µA	32mA, 32mA	-	-	3.6ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US8	8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
TC7WZ00FK,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 2CH 2-INP US8	в производстве	NAND Gate	2	2	-	1.65 V ~ 5.5 V	10µA	32mA, 32mA	-	-	3.6ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US8	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
TC7WZU04FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 3CH 3-INP US8	в производстве	Inverter	3	3	-	1.65 V ~ 5.5 V	10µA	16mA, 16mA	-	-	5.6ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US8	8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
TC7WH02FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 2CH 2-INP 8SSOP	в производстве	NOR Gate	2	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	-	-	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	8-SSOP	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
7UL1G32FS,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	L-MOS LVP SERIES SINGLE 2-INPUT	в производстве	OR Gate	1	2	-	0.9 V ~ 3.6 V	1µA	8mA, 8mA	0.1 V ~ 0.4 V	0.75 V ~ 2.48 V	4.4ns @ 3.6V, 30pF	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	fSV	SOT-953
7UL1G08FS,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	L-MOS LVP SERIES SINGLE 2-INPUT	в производстве	AND Gate	1	2	-	0.9 V ~ 3.6 V	1µA	8mA, 8mA	0.1 V ~ 0.4 V	0.75 V ~ 2.48 V	4.4ns @ 3.6V, 30pF	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	fSV	SOT-953
7UL1G02FS,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	L-MOS LVP SERIES SINGLE 2-INPUT	в производстве	NOR Gate	1	2	-	0.9 V ~ 3.6 V	1µA	8mA, 8mA	0.1 V ~ 0.4 V	0.75 V ~ 2.48 V	4.4ns @ 3.6V, 30pF	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	fSV	SOT-953
74HC02D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC	в производстве	NOR Gate	4	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	16ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HC03D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC	в производстве	NAND Gate	4	2	Open Drain	2 V ~ 6 V	1µA	-, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	13ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HC05D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC	в производстве	Inverter	6	6	Open Drain	2 V ~ 6 V	1µA	-, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	15ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HC132D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND SCHMITT 4CH 14SOIC	в производстве	NAND Gate	4	2	Schmitt Trigger	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	-	-	19ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HCT00D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC	в производстве	NAND Gate	4	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	1µA	4mA, 4mA	0.8V	2V	17ns @ 5.5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HCT02D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC	в производстве	NOR Gate	4	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	1µA	4mA, 4mA	0.8V	2V	16ns @ 5.5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HCT32D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC	в производстве	OR Gate	4	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	1µA	4mA, 4mA	0.8V	2V	18ns @ 5.5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HCU04D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC	в производстве	Inverter	6	6	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.3 V ~ 1.2 V	1.7 V ~ 4.8 V	10ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HCT08D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC	в производстве	AND Gate	4	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	1µA	4mA, 4mA	0.8V	2V	18ns @ 5.5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74LCX02FT(AJ)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOPB	устарелый	NOR Gate	4	2	-	1.65 V ~ 3.6 V	10µA	24mA, 24mA	0.7 V ~ 0.8 V	1.7 V ~ 2 V	6ns @ 3.3V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOPB	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
TC4001BFTEL	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP	устарелый	NOR Gate	4	2	-	3 V ~ 18 V	1µA	3.4mA, 3.4mA	1.5 V ~ 4 V	3.5 V ~ 11 V	80ns @ 15V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
TC74AC04FTEL	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 6CH 6-INP 14TSSOP	устарелый	Inverter	6	6	-	2 V ~ 5.5 V	4µA	24mA, 24mA	0.5 V ~ 1.65 V	1.5 V ~ 3.85 V	6.6ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
TC74AC08FTEL	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP	устарелый	AND Gate	4	2	-	2 V ~ 5.5 V	4µA	24mA, 24mA	0.5 V ~ 1.65 V	1.5 V ~ 3.85 V	7ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
TC74VCX14FTEL	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP	устарелый	Inverter	6	6	Schmitt Trigger	1.2 V ~ 3.6 V	20µA	24mA, 24mA	-	-	4ns @ 3.3V, 30pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
TC74ACT00FTEL	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP	устарелый	NAND Gate	4	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	4µA	24mA, 24mA	0.8V	2V	7.9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
TC74AC14FTEL	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP	устарелый	Inverter	6	6	Schmitt Trigger	2 V ~ 5.5 V	4µA	24mA, 24mA	0.5 V ~ 1.1 V	2.2 V ~ 3.9 V	9.7ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
TC74ACT32FT(EL)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP	устарелый	OR Gate	4	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	4µA	24mA, 24mA	0.8V	2V	7.9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
TC74VHC00FK(EL,K)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14VSSOP	устарелый	NAND Gate	4	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	-	-	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-VSSOP	14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
TC74VHC08F(EL,K,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOP	устарелый	AND Gate	4	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	-	-	7.9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
TC74LCX14FK(EL,K)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 6CH 14VSSOP	устарелый	Inverter	6	6	Schmitt Trigger	1.65 V ~ 3.6 V	10µA	24mA, 24mA	0.3 V ~ 0.6 V	1.35 V ~ 2.2 V	6.5ns @ 3.3V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-VSSOP	14-VFSOP (0.118", 3.00mm Width)
TC74HC4049AFTEL	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 6CH 6-INP 16TSSOP	устарелый	Inverter	6	6	-	2 V ~ 6 V	1µA	7.8mA, 7.8mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 150pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	16-TSSOP	16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
TC74HC00AFELF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOP	устарелый	NAND Gate	4	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	13ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
TC74HC02AFELF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP	устарелый	NOR Gate	4	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	13ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
TC74HC20AF-ELF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 2CH 4-INP 14SOP	устарелый	NAND Gate	2	4	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	15ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
TC4001BF(EL,N,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOP	устарелый	NOR Gate	4	2	-	3 V ~ 18 V	1µA	3.4mA, 3.4mA	1.5 V ~ 4 V	3.5 V ~ 11 V	80ns @ 15V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
TC4584BF(EL,N,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOP	в производстве	Inverter	6	6	Schmitt Trigger	3 V ~ 18 V	4µA	3.4mA, 3.4mA	1.25 V ~ 3.4 V	3.75 V ~ 11.6 V	120ns @ 15V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
TC7SH32FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 1CH 2-INP USV	в производстве	OR Gate	1	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SZ05FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER OD 1CH 1-INP USV	в производстве	Inverter	1	1	Open Drain	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	-, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SH14FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 1CH USV	в производстве	Inverter	1	1	Schmitt Trigger	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.9 V ~ 1.65 V	2.2 V ~ 3.85 V	10.6ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SH86F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE XOR 1CH 2-INP SMV	в производстве	XOR (Exclusive OR)	1	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SH02FU,LJ	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 1CH 2-INP USV	устарелый	NOR Gate	1	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SH00FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 1CH 2-INP USV	в производстве	NAND Gate	1	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SH09FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND OD 1CH 2-INP USV	в производстве	AND Gate	1	2	Open Drain	2 V ~ 5.5 V	2µA	-, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
74HC14D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC	в производстве	Inverter	6	6	Schmitt Trigger	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.3 V ~ 1.5 V	1.5 V ~ 4.2 V	21ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HC08D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC	в производстве	AND Gate	4	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	13ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TC7SZ04FE,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP ESV	в производстве	Inverter	1	1	-	1.65 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	ESV	SOT-553
TC7SZU04FE,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP ESV	в производстве	Inverter	1	1	-	1.65 V ~ 5.5 V	1µA	32mA, 32mA	-	-	5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	ESV	SOT-553
TC7SH08F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 1CH 2-INP SMV	в производстве	AND Gate	1	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	7.9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SZ86FE,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE XOR 1CH 2-INP ESV	в производстве	XOR (Exclusive OR)	1	2	-	1.65 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	5.4ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	ESV	SOT-553

Производители для Логика - ворота и инверторы