Toshiba Semiconductor and Storage агент по продажам - Логика - ворота и инверторы - TC7SET08FU,LJ(CT TC7SET04FU,LJ(CT

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип логики	Количество схем	Количество входов	Особенности	Напряжение - Поставка	Current - Quiescent (Max)	Ток - выход высокий, низкий	Уровень логики - низкий	Уровень логики - высокий	Макс. Задержка распространения @ V, Макс. CL	Рабочая Температура	Тип монтажа	Пакет устройств поставщика	Упаковка / чехол
TC7SET08FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 1CH 2-INP USV	в производстве	AND Gate	1	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SET04FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP USV	в производстве	Inverter	1	1	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	10.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SZ04FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP USV	в производстве	Inverter	1	1	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SZ32FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 1CH 2-INP USV	в производстве	OR Gate	1	2	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7PZ14FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 2CH US6	в производстве	Inverter	2	2	Schmitt Trigger	1.65 V ~ 5.5 V	10µA	32mA, 32mA	-	-	5.9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US6	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
TC7SZ00FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 1CH 2-INP USV	в производстве	NAND Gate	1	2	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7S08FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 1CH 2-INP USV	в производстве	AND Gate	1	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7S08F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 1CH 2-INP SMV	в производстве	AND Gate	1	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SH86FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE XOR 1CH 2-INP USV	в производстве	XOR (Exclusive OR)	1	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	8.8ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7S04FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP USV	в производстве	Inverter	1	1	-	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7S14FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 1CH USV	в производстве	Inverter	1	1	Schmitt Trigger	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.3 V ~ 1.5 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7S14F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 1CH SMV	в производстве	Inverter	1	1	Schmitt Trigger	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.3 V ~ 1.5 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7S04F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP SMV	в производстве	Inverter	1	1	-	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7S32F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 1CH 2-INP SMV	в производстве	OR Gate	1	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7S00FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 1CH 2-INP USV	в производстве	NAND Gate	1	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
74HCT14D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 6CH 14SOIC	в производстве	Inverter	6	6	Schmitt Trigger	4.5 V ~ 5.5 V	1µA	4mA, 4mA	-	-	31ns @ 5.5V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TC7S32FU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 1CH 2-INP USV	в производстве	OR Gate	1	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	2.6mA, 2.6mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
74HC04D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC	в производстве	Inverter	6	6	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	13ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TC7WU04FK,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 3CH 3-INP US8	в производстве	Inverter	3	3	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.3 V ~ 1.2 V	1.7 V ~ 4.8 V	10ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US8	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
TC7W14FK,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 3CH US8	в производстве	Inverter	3	3	Schmitt Trigger	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.3 V ~ 1.5 V	1.5 V ~ 4.2 V	21ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US8	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
TC7W08FKTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 2CH 2-INP US8	в производстве	AND Gate	2	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	13ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US8	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
74HC21D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 2CH 4-INP 14SOIC	в производстве	AND Gate	2	4	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TC7SH02FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 1CH 2-INP USV	в производстве	NOR Gate	1	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SET32FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 1CH 2-INP USV	в производстве	OR Gate	1	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SZ02FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 1CH 2-INP USV	в производстве	NOR Gate	1	2	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SZ02FE,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 1CH 2-INP ESV	в производстве	NOR Gate	1	2	-	1.65 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	ESV	SOT-553
TC7SET02FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 1CH 2-INP USV	в производстве	NOR Gate	1	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SZ86FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE XOR 1CH 2-INP USV	в производстве	XOR (Exclusive OR)	1	2	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	5.4ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SHU04FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP USV	в производстве	Inverter	1	1	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.3V	1.7V	7ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SH00F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 1CH 2-INP SMV	в производстве	NAND Gate	1	2	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SZ04F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP SMV	в производстве	Inverter	1	1	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SET14F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER SCHMITT 1CH SMV	в производстве	Inverter	1	1	Schmitt Trigger	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5 V ~ 0.6 V	1.9 V ~ 2.1 V	9.6ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SH04F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP SMV	в производстве	Inverter	1	1	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SHU04F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP SMV	в производстве	Inverter	1	1	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.3V	1.7V	7ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SZ32F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 1CH 2-INP SMV	в производстве	OR Gate	1	2	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SET08F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND 1CH 2-INP SMV	в производстве	AND Gate	1	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7WH04FK,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 3CH 3-INP US8	в производстве	Inverter	3	3	-	2 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	US8	8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
74LCX00FT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP	в производстве	NAND Gate	4	2	-	1.65 V ~ 3.6 V	10µA	24mA, 24mA	0.7 V ~ 0.8 V	1.7 V ~ 2 V	5.2ns @ 3.3V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
74LCX04FT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 6CH 6-INP 14TSSOP	в производстве	Inverter	6	6	-	1.65 V ~ 3.6 V	10µA	24mA, 24mA	0.7 V ~ 0.8 V	1.7 V ~ 2 V	5.2ns @ 3.3V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
74LCX05FT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 6CH 6-INP 14TSSOP	в производстве	Inverter	6	6	Open Drain	1.65 V ~ 5.5 V	10µA	24mA, 24mA	0.7 V ~ 0.8 V	1.7 V ~ 2 V	-	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOP	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
74VHCT04AFT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 6CH 6-INP 14TSSOPB	в производстве	Inverter	6	6	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	7.7ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-TSSOPB	14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
74HC86D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE XOR 4CH 2-INP 14SOP	в производстве	XOR (Exclusive OR)	4	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	17ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HC00D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOP	в производстве	NAND Gate	4	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	13ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOP	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
74HC32D	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC	в производстве	OR Gate	4	2	-	2 V ~ 6 V	1µA	5.2mA, 5.2mA	0.5 V ~ 1.8 V	1.5 V ~ 4.2 V	13ns @ 6V, 50pF	-40°C ~ 125°C	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
TC7SZU04FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER 1CH 1-INP USV	в производстве	Inverter	1	1	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	16mA, 16mA	-	-	5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SZ05FE,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC INVERTER OD 1CH 1-INP ESV	в производстве	Inverter	1	1	Open Drain	1.65 V ~ 5.5 V	2µA	-, 32mA	-	-	3.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	ESV	SOT-553
TC7SET00FU,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NAND 1CH 2-INP USV	в производстве	NAND Gate	1	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	USV	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TC7SET02F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV	в производстве	NOR Gate	1	2	-	4.5 V ~ 5.5 V	2µA	8mA, 8mA	0.8V	2V	9ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SH09F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE AND OD 1CH 2-INP SMV	в производстве	AND Gate	1	2	Open Drain	2 V ~ 5.5 V	2µA	-, 8mA	0.5V	1.5V	7.5ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753
TC7SZ02F,LJ(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	IC GATE NOR 1CH 2-INP SMV	в производстве	NOR Gate	1	2	-	1.8 V ~ 5.5 V	2µA	32mA, 32mA	-	-	4.3ns @ 5V, 50pF	-40°C ~ 85°C	SMD Поверхностный монтаж	SMV	SC-74A, SOT-753

Производители для Логика - ворота и инверторы