Номер детали производителяBLD6G21LS-50,112
Производитель / МаркаAmpleon USA Inc.
Количество на складе87060 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеRF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию BLD6G21LS-50,112.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BLD6G21LS-50,112 в течение 24 часов.

номер части
BLD6G21LS-50,112
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
устарелый
Тип транзистора
LDMOS (Dual), Common Source
частота
2.02GHz
Усиление
14.5dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
10.2A
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
170mA
Выходная мощность
8W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
SOT-1130B
Пакет устройств поставщика
CDFM4
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
BLD6G21LS-50,112

Связанные компоненты сделаны Ampleon USA Inc.

Связанные ключевые слова "BLD6G"

номер части производитель Описание
BLD6G21L-50 NXP Original NXP BLD6G21L-50 IC
BLD6G21L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
BLD6G21LS-50 NXP Original NXP BLD6G21LS-50 IC
BLD6G21LS-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B
BLD6G22L-150 NXP Original NXP BLD6G22L-150 IC
BLD6G22L-150BN NXP Original NXP BLD6G22L-150BN IC
BLD6G22L-150BN/2 NXP Original NXP BLD6G22L-150BN/2 IC
BLD6G22L-50 NXP Original NXP BLD6G22L-50 IC
BLD6G22L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
BLD6G22LS-50 NXP Original NXP BLD6G22LS-50 IC
BLD6G22LS-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B