Номер детали производителяBLF6G27-75,112
Производитель / МаркаAmpleon USA Inc.
Количество на складе54440 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеRF FET LDMOS 65V SOT502A
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию BLF6G27-75,112.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BLF6G27-75,112 в течение 24 часов.

номер части
BLF6G27-75,112
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
устарелый
Тип транзистора
LDMOS
частота
-
Усиление
-
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
18A
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
600mA
Выходная мощность
9W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
SOT-502A
Пакет устройств поставщика
LDMOST
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
BLF6G27-75,112

Связанные компоненты сделаны Ampleon USA Inc.

Связанные ключевые слова "BLF6"

номер части производитель Описание
BLF640U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
BLF642 NXP BLF642Series65V1 NXP BLF642 IC
BLF642,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C
BLF644PU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A
BLF645 NXP Original NXP BLF645 IC
BLF645,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A
BLF645.112 NXP Original NXP BLF645.112 IC
BLF647 PHILIPS NXP UHF power LDMOS Transistors
BLF647,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A
BLF647.112 NXP Original NXP BLF647.112 IC
BLF647P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
BLF647PS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B