Номер детали производителяBLM8G0710S-30PBY
Производитель / МаркаAmpleon USA Inc.
Количество на складе19710 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеRF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию BLM8G0710S-30PBY.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение BLM8G0710S-30PBY в течение 24 часов.

номер части
BLM8G0710S-30PBY
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип транзистора
LDMOS (Dual)
частота
957.5MHz
Усиление
35dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
30mA
Выходная мощность
3W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
SOT-1211-3
Пакет устройств поставщика
16-HSOPF
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
BLM8G0710S-30PBY

Связанные компоненты сделаны Ampleon USA Inc.

Связанные ключевые слова "BLM8G"

номер части производитель Описание
BLM8G0710S-15PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
BLM8G0710S-15PBY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112
BLM8G0710S-30PBGY Ampleon USA Inc. IC AMP W-CDMA 700MHZ-1GHZ 16HSOP
BLM8G0710S-30PBY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
BLM8G0710S-45ABGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122
BLM8G0710S-45ABY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112
BLM8G0710S-60PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122
BLM8G0710S-60PBY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112