Номер детали производителяA2T09VD300NR1
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Количество на складе56990 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIC TRANSISTOR RF LDMOS
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию A2T09VD300NR1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение A2T09VD300NR1 в течение 24 часов.

номер части
A2T09VD300NR1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип транзистора
LDMOS (Dual)
частота
920MHz
Усиление
21.5dB
Напряжение - испытание
48V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
1.2A
Выходная мощность
79W
Напряжение - Номинальное напряжение
105V
Упаковка / чехол
TO-270-6 Variant, Flat Leads
Пакет устройств поставщика
TO-270WB-6A
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
A2T09VD300NR1

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "A2T0"

номер части производитель Описание
A2T07D160W04SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 803MHZ
A2T07H310-24SR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 880MHZ
A2T08VD020NT1 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T08VD021NT1 NXP USA Inc. AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8
A2T09D400-23NR6 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T09VD250NR1 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T09VD300NR1 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS