Номер детали производителяA2T21H410-24SR6
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Количество на складе38710 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеIC TRANSISTOR RF LDMOS
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию A2T21H410-24SR6.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение A2T21H410-24SR6 в течение 24 часов.

номер части
A2T21H410-24SR6
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип транзистора
LDMOS (Dual)
частота
2.17GHz
Усиление
15.6dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
600mA
Выходная мощность
72W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
NI-1230-4LS2L
Пакет устройств поставщика
NI-1230-4LS2L
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
A2T21H410-24SR6

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "A2T21"

номер части производитель Описание
A2T21H100-25SR3 NXP USA Inc. IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL
A2T21H140-24SR3 NXP USA Inc. RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
A2T21H360-23NR6 NXP USA Inc. RF TRANSISTOR 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. 2.1GHZ 450W NI1230S-4S4S
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S161W12SR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T21S260-12SR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS
A2T21S260W12NR3 NXP USA Inc. AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO