Номер детали производителяMHT1006NT1
Производитель / МаркаNXP USA Inc.
Количество на складе40110 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеFET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
Категория продуктаТранзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию MHT1006NT1.pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MHT1006NT1 в течение 24 часов.

номер части
MHT1006NT1
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип транзистора
LDMOS
частота
2.17GHz
Усиление
21.7dB
Напряжение - испытание
28V
Текущий рейтинг
-
Коэффициент шума
-
Текущий - Тест
90mA
Выходная мощность
1.26W
Напряжение - Номинальное напряжение
65V
Упаковка / чехол
PLD-1.5W
Пакет устройств поставщика
PLD-1.5W-2
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
MHT1006NT1

Связанные компоненты сделаны NXP USA Inc.

Связанные ключевые слова "MHT"

номер части производитель Описание
MHT1001HR5 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS 2450MHZ
MHT1002GNR3 NXP USA Inc. IC RF AMP 915MHZ OM-780G-4L
MHT1002NR3 NXP USA Inc. IC RF AMP 915MHZ OM780-4
MHT1003NR3 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS 2450MHZ
MHT1004GNR3 NXP USA Inc. RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450
MHT1004NR3 NXP USA Inc. RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450
MHT1006NT1 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
MHT1008NT1 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS 2450MHZ
MHT1108NT1 NXP USA Inc. RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
MHT2000GNR1 NXP USA Inc. IC RF AMP 2.45GHZ TO270WBG-16
MHT2000NR1 NXP USA Inc. IC RF AMP 2.45GHZ TO272 WB-16
MHT2012NT1 NXP USA Inc. RF LDMOS POWER AMPLIFIER FOR CON