номер части

RQ3C150BCTB

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

20V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (Макс.)

±8V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

4800pF @ 10V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

20W (Tc)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

8-HSMT (3.2x3)

Упаковка / чехол

8-PowerVDFN

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

RQ3C150BCTB