номер части

RQ3E100GNTB

Состояние производства (жизненный цикл)

Свяжитесь с нами

Время производства

4-8 недель

состояние

Новые и неиспользованные, оригинальные продукты

Способ доставки

Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта

Статус детали

в производстве

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

30V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

10A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

11.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

7.9nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

420pF @ 15V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

2W (Ta), 15W (Tc)

Рабочая Температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

SMD Поверхностный монтаж

Пакет устройств поставщика

8-HSMT (3.2x3)

Упаковка / чехол

8-PowerVDFN

Вес

Свяжитесь с нами

заявка

Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru

Альтернативный номер детали

RQ3E100GNTB