Номер детали производителяRN1131MFV(TL3,T)
Производитель / МаркаToshiba Semiconductor and Storage
Количество на складе70960 более
Цена за единицуЦитировать по электронной почте (sales@icchip.ru)
Краткое описаниеTRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM
Категория продуктаТранзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Бессвинцовый статус / RoHS СтатусБессвинцовый / Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (беспредельный)
Срок поставки1-2 дня
Год производства (DC)последний
Скачать спецификацию RN1131MFV(TL3,T).pdf

Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RN1131MFV(TL3,T) в течение 24 часов.

номер части
RN1131MFV(TL3,T)
Состояние производства (жизненный цикл)
Свяжитесь с нами
Время производства
4-8 недель
состояние
Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
Способ доставки
Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
Статус детали
в производстве
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.)
100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
50V
Resistor - Base (R1)
100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
-
Мощность - макс.
150mW
Тип монтажа
SMD Поверхностный монтаж
Упаковка / чехол
SOT-723
Пакет устройств поставщика
VESM
Вес
Свяжитесь с нами
заявка
Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
Альтернативный номер детали
RN1131MFV(TL3,T)

Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage

Связанные ключевые слова "RN113"

номер части производитель Описание
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VESM
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M