RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage дистрибьютор
Номер детали производителя | RN2610(TE85L,F) |
---|---|
Производитель / Марка | Toshiba Semiconductor and Storage |
Количество на складе | 33090 более |
Цена за единицу | Цитировать по электронной почте (sales@icchip.ru) |
Краткое описание | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
Категория продукта | Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые |
Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Бессвинцовый / Соответствует RoHS |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (беспредельный) |
Срок поставки | 1-2 дня |
Год производства (DC) | последний |
Скачать спецификацию | RN2610(TE85L,F).pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение RN2610(TE85L,F) в течение 24 часов.
- номер части
- RN2610(TE85L,F)
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Свяжитесь с нами
- Время производства
- 4-8 недель
- состояние
- Новые и неиспользованные, оригинальные продукты
- Способ доставки
- Сагава Экспресс, Ниппон Экспресс, DHL, FEDEX, Нормальная почта
- Статус детали
- в производстве
- Тип транзистора
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Ток - коллектор (Ic) (макс.)
- 100mA
- Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)
- 50V
- Resistor - Base (R1)
- 4.7 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2)
-
- Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce
- 120 @ 1mA, 5V
- Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic
- 300mV @ 250µA, 5mA
- Ток - отсечка коллектора (макс.)
- 100nA (ICBO)
- Частота - переход
- 200MHz
- Мощность - макс.
- 300mW
- Тип монтажа
- SMD Поверхностный монтаж
- Упаковка / чехол
- SC-74, SOT-457
- Пакет устройств поставщика
- SM6
- Вес
- Свяжитесь с нами
- заявка
- Пожалуйста, отправьте по электронной почте: sales@icchip.ru
- Альтернативный номер детали
- RN2610(TE85L,F)
Связанные компоненты сделаны Toshiba Semiconductor and Storage
Связанные ключевые слова "RN261"
номер части | производитель | Описание |
---|---|---|
RN2610(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |