Транзисторы - биполярные (BJT) - RF - Дискретный полупроводник - 2SC4655JCL BFU530XAR BFU530XRR NE68039R-T1 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Частота - переход	Шум (дБ Тип @ f)	Усиление	Мощность - макс.	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
2SC4655JCL	Panasonic Electronic Components	TRANSISTOR NPN 20VCEO 30MA SSMINI-3	устарелый	NPN	20V	230MHz	-	-	125mW	110 @ 1mA, 10V	30mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89, SOT-490	SSMini3-F1
BFU530XAR	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF NPN 12V 40MA SOT-143B	в производстве	NPN	12V	11GHz	0.7dB @ 900MHz	22dB	450mW	60 @ 10mA, 8V	40mA	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143B
BFU530XRR	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF NPN 12V 40MA SOT-143R	в производстве	NPN	12V	11GHz	0.65dB @ 900MHz	21dB	450mW	60 @ 10mA, 8V	40mA	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-143R	SOT-143R
NE68039R-T1	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-143R	устарелый	NPN	10V	10GHz	1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz	6.5dB ~ 11dB	200mW	50 @ 10mA, 6V	35mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-143R	SOT-143R
BFU668F,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR NPN SOT343F	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SMD Поверхностный монтаж	SOT-343F	SOT-343F
2SC4713KT146S	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 6V 50MA SOT-346	в производстве	NPN	6V	800MHz	-	-	200mW	180 @ 5mA, 5V	50mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3
BFU530R	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF NPN 12V 40MA SOT-143B	в производстве	NPN	12V	11GHz	0.6dB @ 900MHz	21.5dB	450mW	60 @ 10mA, 8V	40mA	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143B
BFU610F,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR NPN SOT343F	в производстве	NPN	5.5V	15GHz	0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz	13.5dB ~ 23.5dB	136mW	90 @ 1mA, 2V	10mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-343F	4-DFP
BFU520XAR	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF NPN 12V 30MA SOT-143B	в производстве	NPN	12V	10.5GHz	0.7dB @ 900MHz	20dB	450mW	60 @ 5mA, 8V	30mA	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143B
PN3563	Central Semiconductor Corp	TRANSISTOR NPN RF OSC TO92	в производстве	NPN	12V	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92
BFU768F,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF NPN 2.8V 70MA DFP4	в производстве	NPN	2.8V	-	1.1dB @ 2.4GHz	13.1dB	220mW	155 @ 10mA, 2V	70mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-343F	4-DFP
BFU530WX	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF NPN 12V 40MA SOT-323	в производстве	NPN	12V	11GHz	0.6dB @ 900MHz	18.5dB	450mW	60 @ 10mA, 8V	40mA	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323-3
NSVF4009SG4T1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 3.5V 40MA 4MCPH	в производстве	NPN	3.5V	25GHz	1.1dB @ 2GHz	17dB	120mW	50 @ 5mA, 1V	40mA	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD, Flat Leads	SC-82FL/MCPH4
ZUMTS17NTA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR RF 3.2GHZ 11V SOT323	в производстве	NPN	11V	3.2GHz	-	-	330mW	56 @ 5mA, 10V	50mA	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323
2SC5632G0L	Panasonic Electronic Components	TRANSISTOR NPN 8VCEO 50MA SMINI-3	устарелый	NPN	8V	1.1GHz	-	-	150mW	100 @ 2mA, 4V	50mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-85	SMini3-F2
2SC5087YTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR RF NPN 7GHZ 80MA SMQ	в производстве	NPN	12V	7GHz	1.1dB @ 1GHz	13dB	150mW	120 @ 20mA, 10V	80mA	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-61AA	SMQ
2SA1748GRL	Panasonic Electronic Components	TRANSISTOR PNP 50VCEO 50MA SMINI-3	устарелый	PNP	50V	250MHz	-	-	150mW	250 @ 2mA, 10V	50mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-85	SMini3-F2-B
DSC9F0100L	Panasonic Electronic Components	RF TRANSISTOR NPN 10V 1.9GHZ SSMINI3	устарелый	NPN	10V	1.9GHz	-	-	125mW	75 @ 5mA, 4V	50mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-89, SOT-490	SSMini3-F3-B
CPH6003A-TL-E	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN BIPO 12V 150MA CPH6	в производстве	NPN	12V	7GHz	1.8dB @ 1GHz	9dB	800mW	100 @ 50mA, 5V	150mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-CPH
NSVF3007SG3T1G	ON Semiconductor	RF TRANSISTOR	в производстве	NPN	12V	8GHz	1.8dB @ 1GHz	12dB	350mW	60 @ 5mA, 5V	30mA	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-3 Flat Leads	3-MCPH
NSVF4020SG4T1G	ON Semiconductor	RF TRANSISTOR	в производстве	NPN	8V	16GHz	1.8dB @ 1GHz	17.5dB	400mW	60 @ 50mA, 5V	150mA	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD, Flat Leads	SC-82FL/MCPH4
2SC5245A-4-TL-E	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN BIPO UHF-LNA MCP	в производстве	NPN	10V	8GHz	0.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 1.5GHz	10dB	150mW	90 @ 10mA, 5V	30mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	3-MCP
BFT92,215	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PNP 25MA 15V 5GHZ SOT23	устарелый	PNP	15V	5GHz	2.5dB @ 500MHz	-	300mW	20 @ 14mA, 10V	25mA	175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BFT92W,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323	устарелый	PNP	15V	4GHz	2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz	-	300mW	20 @ 15mA, 10V	25mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323-3
NSVF6003SB6T1G	ON Semiconductor	RF TRANSISTOR	в производстве	NPN	12V	7GHz	3dB @ 1GHz	9dB	800mW	100 @ 50mA, 5V	150mA	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-CPH
BFT25A,215	NXP USA Inc.	TRANSISTOR NPN 5V 5GHZ SOT-23	в производстве	NPN	5V	5GHz	1.8dB ~ 2dB @ 1GHz	-	32mW	50 @ 500µA, 1V	6.5mA	175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
2SC393400L	Panasonic Electronic Components	TRANSISTOR NPN 12VCEO 30MA SMINI-3	устарелый	NPN	12V	4.5GHz	1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz	9dB ~ 12dB	150mW	40 @ 10mA, 10V	30mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SMini3-G1
BFU580QX	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF NPN 12V 60MA SOT89-3	в производстве	NPN	12V	10.5GHz	1.3dB @ 1.8GHz	8.5dB	1W	60 @ 30mA, 8V	60mA	-40°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
MT3S113P(TE12L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	в производстве	NPN	5.3V	7.7GHz	1.45dB @ 1GHz	10.5dB	1.6W	200 @ 30mA, 5V	100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	PW-MINI
NE68039R-T1-A	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-143R	устарелый	NPN	10V	10GHz	1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz	6.5dB ~ 11dB	200mW	50 @ 10mA, 6V	35mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-143R	SOT-143R
CMPTH81 TR	Central Semiconductor Corp	TRANSISTOR PNP 20V 50MA SOT23	устарелый	PNP	20V	600MHz	-	-	225mW	60 @ 5mA, 10V	50mA	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2SC4093-T1-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-143	устарелый	NPN	12V	7GHz	1.1dB @ 1GHz	14.2dB	200mW	50 @ 20mA, 10V	100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143
NE68730-T1	CEL	TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-323	устарелый	NPN	3V	11GHz	1.3dB ~ 2dB @ 2GHz	-	90mW	70 @ 20mA, 2V	30mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323
MPSH81	Central Semiconductor Corp	TRANSISTOR PNP 20V 50MA TO92	устарелый	PNP	20V	600MHz	-	-	350mW	60 @ 5mA, 10V	50mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92
HFA3102BZ96	Renesas Electronics America Inc.	IC TRANSISTOR ARRAY DUAL NPN 14-SOIC	в производстве	6 NPN	12V	10GHz	1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz	12.4dB ~ 17.5dB	250mW	40 @ 10mA, 3V	30mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	14-SOIC
HFA3102BZ	Renesas Electronics America Inc.	IC TRANSISTOR ARRAY DUAL NPN 14-SOIC	в производстве	6 NPN	12V	10GHz	1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz	12.4dB ~ 17.5dB	250mW	40 @ 10mA, 3V	30mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	14-SOIC
HFA3134IHZ96	Renesas Electronics America Inc.	IC TRANSISTOR ARRAY NPN MATCH SOT23-6	в производстве	2 NPN (Dual)	9V	8.5GHz	2.4dB @ 1GHz	-	-	48 @ 10mA, 2V	26mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6	SOT-23-6
HFA3127RZ	Renesas Electronics America Inc.	IC TRANSISTOR ARRAY 5X NPN 16-QFN	в производстве	5 NPN	12V	8GHz	3.5dB @ 1GHz	-	150mW	40 @ 10mA, 2V	65mA	175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	16-VFQFN Exposed Pad	16-QFN (3x3)
MRF321	M/A-Com Technology Solutions	TRANSISTOR RF NPN 33V 1.1A 244-04	в производстве	NPN	33V	-	-	13dB	10W	20 @ 500mA, 5V	1.1A	-	Chassis Mount	244-04	244-04, STYLE 1
PBR941B,215	NXP USA Inc.	TRANSISTOR NPN UHF 50MA SOT23-3	устарелый	NPN	10V	9GHz	1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz	-	360mW	100 @ 5mA, 6V	50mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BFR182WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V 35MA SOT323	в производстве	NPN	12V	8GHz	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz	19dB	250mW	70 @ 10mA, 8V	35mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BFR181WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V 20MA SOT323	в производстве	NPN	12V	8GHz	0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz	19dB	175mW	70 @ 5mA, 8V	20mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BFR360L3E6765XTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 6V TSLP-3	в производстве	NPN	9V	14GHz	1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz	11.5dB ~ 16dB	210mW	90 @ 15mA, 3V	35mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-101, SOT-883	PG-TSLP-3-1
BFS17WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 15V 25MA SOT323	в производстве	NPN	15V	1.4GHz	3.5dB ~ 5dB @ 800MHz	-	280mW	40 @ 2mA, 1V	25mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BFP181E7764HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-143	в производстве	NPN	12V	8GHz	0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz	17.5dB ~ 21dB	175mW	70 @ 70mA, 8V	20mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-253-4, TO-253AA	PG-SOT143-4
BFP520FH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 3.5V 40MA 4TSFP	в производстве	NPN	3.5V	45GHz	0.95dB @ 1.8GHz	22.5dB	100mW	70 @ 20mA, 2V	40mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD, Flat Leads	4-TSFP
BFP 182 E7764	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143	устарелый	NPN	12V	8GHz	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz	22dB	250mW	70 @ 10mA, 8V	35mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-253-4, TO-253AA	PG-SOT143-4
BFR193L3E6327XTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V TSLP-3	в производстве	NPN	12V	8GHz	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz	12.5dB ~ 19dB	580mW	70 @ 30mA, 8V	80mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-101, SOT-883	PG-TSLP-3-1
BFP183E7764HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143	в производстве	NPN	12V	8GHz	0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz	22dB	250mW	70 @ 15mA, 8V	65mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-253-4, TO-253AA	PG-SOT143-4
BFP196WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V 150MA SOT343	в производстве	NPN	12V	7.5GHz	1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz	12.5dB ~ 19dB	700mW	70 @ 50mA, 8V	150mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-82A, SOT-343	PG-SOT343-4

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - RF