номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиНапряжение - Zener (Nom) (Vz)ТолерантностьМощность - макс.Импеданс (макс.) (Zzt)Текущий - обратный утечек @ VrНапряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ ЕслиРабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Central Semiconductor Corp DIODE 10V 500MW DO35 в производстве10V±5%500mW17 Ohms3µA @ 8V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 12V 500MW DO35 в производстве12V±5%500mW30 Ohms1µA @ 9.1V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 14V 500MW DO35 в производстве14V±5%500mW15 Ohms100nA @ 10V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 15V 500MW DO35 в производстве15V±5%500mW16 Ohms100nA @ 11V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 18V 500MW DO35 в производстве18V±5%500mW21 Ohms100nA @ 14V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 25V 500MW DO35 в производстве25V±5%500mW35 Ohms100nA @ 19V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 27V 500MW DO35 в производстве27V±5%500mW41 Ohms100nA @ 21V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 28V 500MW DO35 в производстве28V±5%500mW44 Ohms100nA @ 21V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 33V 500MW DO35 в производстве33V±5%500mW58 Ohms100nA @ 25V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 36V 500MW DO35 в производстве36V±5%500mW70 Ohms100nA @ 27V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 43V 500MW DO35 в производстве43V±5%500mW93 Ohms100nA @ 33V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 56V 500MW DO35 устарелый56V±5%500mW150 Ohms100nA @ 43V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 60V 500MW DO35 устарелый60V±5%500mW170 Ohms100nA @ 46V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 68V 500MW DO35 устарелый68V±5%500mW230 Ohms100nA @ 52V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 75V 500MW DO35 устарелый75V±5%500mW270 Ohms100nA @ 56V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 82V 500MW DO35 устарелый82V±5%500mW330 Ohms100nA @ 62V1.1V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 3.6V 500MW DO35 в производстве3.6V±5%500mW24 Ohms10µA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 3.6V 500MW DO35 в производстве3.6V±5%500mW24 Ohms10µA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 3.9V 500MW DO35 в производстве3.9V±5%500mW23 Ohms10µA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 5.1V 500MW DO35 в производстве5.1V±5%500mW17 Ohms1µA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 5.6V 500MW DO35 в производстве5.6V±5%500mW11 Ohms1µA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 6.2V 500MW DO35 в производстве6.2V±5%500mW7 Ohms100nA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 7.5V 500MW DO35 в производстве7.5V±5%500mW6 Ohms100nA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 9.1V 500MW DO35 в производстве9.1V±5%500mW10 Ohms100nA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 9.1V 500MW DO35 в производстве9.1V±5%500mW10 Ohms100nA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 10V 500MW DO35 в производстве10V±5%500mW17 Ohms100nA @ 1V1.5V @ 200mA-65°C ~ 200°CThrough HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
Central Semiconductor Corp DIODE 15V 500MW SOT23-3 в производстве15V±5%350mW30 Ohms50nA @ 10.5V900mV @ 10mA-65°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
Central Semiconductor Corp DIODE 30V 500MW SOT23-3 в производстве30V±5%500mW80 Ohms50nA @ 21V900mV @ 10mA-65°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
Central Semiconductor Corp DIODE 30V 500MW SOT23-3 в производстве30V±5%500mW80 Ohms50nA @ 21V900mV @ 10mA-65°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
Central Semiconductor Corp DIODE 3.3V 1W MELF устарелый3.3V±5%1W10 Ohms100µA @ 1V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 3.6V 1W MELF устарелый3.6V±5%1W10 Ohms100µA @ 1V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 5.1V 1W MELF устарелый5.1V±5%1W7 Ohms10µA @ 1V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 5.6V 1W MELF устарелый5.6V±5%1W5 Ohms10µA @ 2V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 6.8V 1W MELF в производстве6.8V±5%1W3.5 Ohms10µA @ 4V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 8.2V 1W MELF в производстве8.2V±5%1W4.5 Ohms10µA @ 6V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 9.1V 1W MELF в производстве9.1V±5%1W5 Ohms10µA @ 7V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 10V 1W MELF в производстве10V±5%1W7 Ohms10µA @ 7.6V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 13V 1W MELF в производстве13V±5%1W10 Ohms5µA @ 9.9V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 15V 1W MELF в производстве15V±5%1W14 Ohms5µA @ 11.4V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 18V 1W MELF в производстве18V±5%1W20 Ohms5µA @ 13.7V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 27V 1W MELF в производстве27V±5%1W35 Ohms5µA @ 20.6V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 30V 1W MELF в производстве30V±5%1W40 Ohms5µA @ 22.8V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 43V 1W MELF устарелый43V±5%1W70 Ohms5µA @ 32.7V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 56V 1W MELF устарелый56V±5%1W110 Ohms5µA @ 42.6V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 75V 1W MELF устарелый75V±5%1W175 Ohms5µA @ 56V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 82V 1W MELF устарелый82V±5%1W200 Ohms5µA @ 62.2V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 100V 1W MELF устарелый100V±5%1W350 Ohms5µA @ 76V1.2V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AB, MELFMELF
Central Semiconductor Corp DIODE 3.3V 500MW SOD80 устарелый3.3V±5%500mW28 Ohms25µA @ 1V1.25V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80SOD-80
Central Semiconductor Corp DIODE 3.9V 500MW SOD80 устарелый3.9V±5%500mW23 Ohms10µA @ 1V1.25V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80SOD-80
Central Semiconductor Corp DIODE 4.7V 500MW SOD80 устарелый4.7V±5%500mW19 Ohms5µA @ 2V1.25V @ 200mA-65°C ~ 200°CSMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80SOD-80
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10