Infineon Technologies агент по продажам - Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые - BCR112E6327HTSA1 BCR135E6327HTSA1

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Resistor - Base (R1)	Resistor - Emitter Base (R2)	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	Ток - отсечка коллектора (макс.)	Частота - переход	Мощность - макс.	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BCR112E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	4.7 kOhms	20 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	140MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR135E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR503E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 300MW SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	2.2 kOhms	2.2 kOhms	40 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	100nA (ICBO)	100MHz	330mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR148E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	100MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR142E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	22 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR198E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	190MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR158E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	2.2 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR183E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	10 kOhms	30 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR533E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	10 kOhms	10 kOhms	70 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	100nA (ICBO)	100MHz	330mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR512E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	4.7 kOhms	4.7 kOhms	60 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	100nA (ICBO)	100MHz	330mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR555E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	500mA	50V	2.2 kOhms	10 kOhms	70 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	100nA (ICBO)	150MHz	330mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR562E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	500mA	50V	4.7 kOhms	4.7 kOhms	60 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	100nA (ICBO)	150MHz	330mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR141E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	22 kOhms	22 kOhms	50 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	130MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR523E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	1 kOhms	10 kOhms	70 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	100nA (ICBO)	100MHz	330mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR133E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	10 kOhms	30 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	130MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR108E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	2.2 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	170MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR116E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR505E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	2.2 kOhms	10 kOhms	70 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	100nA (ICBO)	100MHz	330mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR133E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	10 kOhms	30 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	130MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR166E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	160MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR185E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR108E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	2.2 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	170MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR116E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR119E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	-	120 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR129E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	-	120 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR135E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR141E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	22 kOhms	22 kOhms	50 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	130MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR162E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	4.7 kOhms	20 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR166E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	160MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR169E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	-	120 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR183E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	10 kOhms	30 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR185E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR192E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	22 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR196E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	70mA	50V	47 kOhms	22 kOhms	50 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR198E6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	190MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR146E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	70mA	50V	47 kOhms	22 kOhms	50 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR191E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	22 kOhms	22 kOhms	50 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	200mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCR108WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	2.2 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	170MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR108WH6433XTMA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	2.2 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	170MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR112WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	4.7 kOhms	20 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	140MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR116WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR119WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	-	120 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR129WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	-	120 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR133WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	10 kOhms	30 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	130MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR135WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	10 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	150MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR141WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	22 kOhms	22 kOhms	50 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	130MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR148WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	100MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR158WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	2.2 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR166WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	47 kOhms	70 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	160MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3
BCR169WH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	устарелый	PNP - Pre-Biased	100mA	50V	4.7 kOhms	-	120 @ 5mA, 5V	300mV @ 500µA, 10mA	100nA (ICBO)	200MHz	250mW	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	PG-SOT323-3

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые